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明年内存芯片市场矮迷 三星计划放缓膨胀步伐

  所以,三星在庆吉省平泽(Pyeongtaek)最新的园区、投资30万亿韩元建设第二条DRAM芯片生产线的投资计划,在实走方面能够要比最初计划的更郑重。云云,三星能够议定限定新的供答添长,来预防内存价格的下滑。听命原计划,平泽第二条DRAM芯片生产线将于明年上半年落成。

  有消休报道称,三星计划明年减少内存芯片的产量,使DRAM和NAND芯片产量涨幅别离矮于20%和30%。三星在今年11月召开的第三季度财报电话会议上曾外示,今年DRAM芯片的“位添长”(Bit growth)展望将达到20%,而NAND芯片“位添长”有看达到约40%。

  一位业妻子士称:“在一场由三星电子联席CEO、设备解决方案部分负责人金奇南(Kim Ki-nam)和三星电子海外分支机构负责人主办的会议上,三星商议了调整DRAM和NAND闪存芯片产能添长步伐的题目。”

  “位添长”是指以“位”为单位,计算内存芯片增补的周围,这有助于计算出每一家芯片供答商的产能。据业内不都雅察家称,随着“位添长”预期的降矮,展望三星将保守地实走其内存生产投资计划。

  在上周举走的全球商业战略会议上,三星电子“设备解决方案部分”的主要议程就是:如何答对明年能够展现的内存芯片供答过剩的局面。现在,业界普及展望明年的内存芯片需要将展现下滑。

  此外,在明年能够展现供答过剩的局面下,展望三星还将限定其在平泽的第一条生产线二楼生产区的DRAM产量。一位走业高管称:“三星原计划在平泽DRAM生产线上增补4万个晶片,现在,三星只考虑在2019年前6个月增补2万至3万个晶片。”

  据市场分析师展望,明年前6个月全球内存芯片产业需要将展现下滑,展望下半年将逆弹。(李明)

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  原由三星下调了对公司第四季度的结余预期,令分析师对其2019年的外现感到更添哀不都雅。据韩国证券经纪公司展望,原由半导体走业的季节性矮迷,三星电子第四季度运营收好将从第三季度的17.57万亿韩元降至约13万亿韩元。

  新浪科技讯 北京时间11月26日晚间消休,据《韩国先驱报》(Korea Herald)报道,原由分析师对2019年全球半导体市场的预期比较哀不都雅,全球最大存储芯片供答商三星电子正考虑放缓扩大生产设施的步伐。

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